汽车级Trench 9 - 旨在提高性能和耐久性的功率MOSFET

借助安世半导体的LFPAK56D双通道汽车MOSFET产品组合的最新产品,设计人员可显著节省空间,同时利用铜夹封装技术的所有热性能优势。

Nexperia最新的汽车功率MOSFET产品组合采用独特的Trench 9超结技术以及LFPAK封装,可实现更高的性能和可靠性。

  • 六款全新的标准级MOSFET(1.4mΩ至3.5mΩ)
  • 符合AEC-Q101汽车标准。关键可靠性测试超出Q101测试标准的两倍:
    • TC – 温度周期变化
    • HTGB – 高温栅极偏压
    • HTRB – 高温反向偏压
    • IOL – 间歇运行寿命
  • 最低RDS(on)从3mΩ降低至1.4mΩ

主要优势:

  • 在相同尺寸条件下,较低的RDS(on)(1.4mΩ)可提供更高的功率密度
  • 通过降低RDS(on)以及提高开关性能,提高效率
  • 出色的单次和多次雪崩性能, 更优的SOA
  • 替代DPAK和D2PAK可节省高达81%的空间

适用于:

  • 电机控制(有刷和无刷)
    • 助力转向
    • 传动控制
    • ABS和ESC(电子稳定控制)
    • 泵:水、油和燃油泵
    • 风扇速度控制
  • 电池反向保护
    • DC/DC转换器
LFPAK56E

Product range (AEC-Q101 qualified)

器件 封装 RDS(on)[最大]
@ 10V [mΩ]
ID [最大]
@ 25°C [A]
Rth(j-mb)
[最大] [K/W]
BUK7J1R4-40H LFPAK56E 1.4 120 0.38
BUK7Y1R7-40H LFPAK56 1.7 120 0.51
BUK7Y2R0-40H LFPAK56 2.0 120 0.69
BUK7Y2R5-40H LFPAK56 2.5 120 0.92
BUK7Y3R0-40H LFPAK56 3.0 120 1.13
BUK7Y3R5-40H LFPAK56 3.5 120 1.3

如需数据表、设计支持模型和样品订购信息,可访问产品页面获取。