长期以来，在功率应用方案中，热管理一直是挑战。当项目有空间放置大型的散热器时，从电路板和半导体器件上将废热导出较为容易。然而，随着输出功率提升以及功率密度和电路密度的要求，散热处理的难度越来越大。对于当今的大电流、高功率应用和650 V GaN功率场效应晶体管，通常需要更高效的器件散热方式，甚至已成为强制性的要求。因此，顶部散热方式的 CCPAK封装，可以提供更佳散热性能。
在大功率器件封装中，最主要的散热要素就是传导路径。对于传统的SMD封装，废热通过器件的底部散热，将器件引脚和PCB作为散热器使用。因为采用PCB进行散热的能力是有限的，为提高底部散热功率MOSFET的散热性能，通常在铺铜设计中，加入许多“过孔”，作为热传导的路径。
在某些应用中，要求更高的散热效率或者需要减少传输至PCB的热量，尤其是大电流既高功率的项目。例如数据中心的电源、通信基站设施、在600V或更高电压中作动的汽车系统。对于宽带隙器件(WBG) 要求更高功率密度和更高的功率耗散，因此更具有挑战性。在这种情况下，Nexperia 650 V GaN FET 顶部散热的CCPAK 能够大幅提高性能。通过对PCB布局和半导体器件进行散热的优化，顶部散热可实现更高的功率密度并延长系统寿命。
CCPAK1212i – 轻松翻转实现顶部散热
由Nexperia开发的CCPAK封装，专注于为650 V GaN HEMT 器件提供最优化的器件封装。其中一个关键技术 使用铜夹片技术 Copper-Clip。如我之前在博客中讨论的“CCPAK：铜夹片技术进入高压应用”，在内部铜夹片设计中加入"支柱"，可解决这一个挑战。不需要设计人员更改电路板的布局（使用外部连接时需要更改布局），这些内部支柱还提供一定程度的冗余、更出色的散热性能和分布电阻。
采用CCPAK封装，很容易翻转器件的外部接脚，让负责导热的铜片外露在器件封装顶部。然后，该外露的铜片可将芯片和PCB的废热更高效传导出去。对于更大电流既更高功率的应用，可以通过绝缘导热垫片连接到额外的散热器。
因此，采用Nexperia 顶部散热 CCPAK1212i 650 V GaN FET ，可实现以下优点 ，更快的切换速度，提升效率，缩小尺寸，减轻重量，最大限度降低总体系统成本，同时为 大电流/高功率项目的设计人员，提供更好的散热效能。简而言之，与底部散热的器件相比，使用顶部散热的Nexperia器件，可以实现更高的功率密度。
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