LFPAK系列全新8*8封装提升功率效率

为了适应业界对节省空间、提高功率密度和电流处理能力的需要,Nexperia大大改进了最新的铜夹封装。LFPAK88结合了低RDSon和高ID,将功率密度基准设定为1 W / mm3以上。

一直以来,在功率MOSFET方面,汽车行业长期依赖于较旧和较大的引线键合封装,如DPAK(SOT428)和D2PAK(SOT404)。到2004年情况开始发生变化——Nexperia引入了LFPAK铜夹封装。突然间,我们拥有了与SO8安装尺寸相似的新封装,并且可带来显著的效率和性能优势。

随着LFPAK88的发布,我们现在拥有一个8 x 8 mm封装选项,不但可提供铜夹的所有性能优点,并且具有更大晶圆尺寸的额外优势,同时仍可显著节省空间。正如LFPAK56(SOT669)  旨在为DPAK提供有效替代品一样,LFPAK88(SOT1235)  也可以替代更大的D²PAK和D²PAK-7封装。

电流能力

封装越大,可以使用的MOSFET晶圆就越大。MOSFET晶圆越大,就能有效地通过越多的电流。并且在给定P = I 2 R情况下,更多电流等于更多功率。有了LFPAK88, Nexperia现在可以在封装尺寸、电流和功率规格方面提供更多选择,以满足整个系统的性能与空间的需求。

以下是使用我们最新的汽车级40 V超级结技术在各种LFPAK封装中提供的最佳电流能力示例。随着总体占位面积略有增加,电流能力可以得到显著提高。
 

LFPAK33 to LFPAK88 current handling

替代D²PAK

随着使用我们的铜夹技术和坚固的LFPAK系列发布更大尺寸的LFPAK88封装,我们预计它将成为一系列应用的事实标准。最终在动力转向,防抱死制动等应用中替换更大的D²PAK和D²PAK-7引线键合封装。 

在接下来的几周内,我将深入探讨一些主题,这些主题突出了我们的40 V汽车超结硅和LFPAK88的组合如何帮助工程师重新思考他们的设计。下一篇文章将详细介绍我们如何实现高于1 W / mm 3的功率密度。然后,我们将讨论短引脚铜夹封装如何最大限度地降低寄生电感与其开关效率的表现,以及关于热性能方面为什么小得多的LFPAK88可以与更大的D²PAK一样好。最后,我们来看看安世半导体在LFPAK封装和晶圆制造方面多年的经验是如何实现远超汽车AEC-Q101标准的最高质量和性能表现。
 

Ivan Petrov

Neil Massey

Neil在电子行业工作了30多年,担任过许多工程和项目管理职位。在过去的19年中,他一直担任各种消费、工业和汽车应用中电力电子半导体器件的产品市场经理。他目前负责用于汽车应用的低压MOSFET封装,重点关注安世半导体新的LFPAK88产品系列。