对于移动和便携式产品应用中，尤其是可穿戴设备来说，准则是更精简、更高效。通过使用高效的开关选项，设计者可以拥有更多空间来嵌入功能，同时最大限度降低电池消耗。Nexperia新发布的小信号MOSFET采用超小型DFN0606，拥有低导通电阻，能够节省大量空间
新一代智能手机、智能手表/健身跟踪器、耳塞和GPS跟踪器继续拓展着科技的边界。当然，它们都有一个共同点，空间有限，很难容纳消费者想要的所有功能，并且还需要更长的电池续航能力。为了与可穿戴设备的新发明保持一致，设计者一直在努力寻找满足每种功能的高效解决方案。
低导通电阻的超小型MOSFET
在一系列低电压开关方面，小信号MOSFET是理想的选择，Nexperia新推出的PMH系列20/30 V、N沟道和P沟道器件，在超小型DFN0606中处于领先地位。它们可在0.62 x 0.62 mm占位面积中实现低导通电阻。凭借这些器件中使用的先进工艺技术，Rdson方面可以轻松地在更大的封装（DFN0806和DFN1006）中与许多器件竞争。
除了低导通电阻，它们还提供出色的ESD性能，并且仅需 0.7 V 的阈值电压即可工作，这对于低驱动电压的便携式产品应用至关重要。Nexperia的DFN0606产品组合也具有与DFN1006封装相同的0.35 mm间距，简化了设计和制造，同时具备高性能和空间优势。凭借我们大批量生产制造能力，可以快速扩产，尽可能满足市场需求。
人气旧款已经焕然一新
除PMH系列之外，Nexperia还将发布采用DFN0606封装的NX7002BK。这款超小型封装久经实践证明60 V、N沟道Trench MOSFET，使设计人员可以选择在各种占位空间和封装形式中实现相同的性能。从引脚SOT23、SOT323和SOT363到分立式扁平无引脚DFN1010、DFN1006和DFN0606。
DFN0606 MOSFET概览
|
封装 |
DFN0606-3 |
||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
尺寸(mm) |
0.62 x 0.62 x 0.37 |
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|
极性 |
VDS |
VGS |
VGSth |
VGSth |
ESD保护(kV) |
导通电阻典型值(mΩ) |
|
|
N |
20 |
8 |
0.45 |
0.95 |
1.8 |
260 |
|
|
0.45 |
0.95 |
1 |
470 |
||||
|
30 |
8 |
0.45 |
0.95 |
1.7 |
400 |
||
|
0.45 |
0.95 |
2 |
550 |
||||
|
60 |
20 |
1.1 |
2.1 |
2 |
2100 |
||
|
P |
20 |
8 |
0.45 |
0.95 |
1.8 |
550 |
|
|
0.45 |
0.95 |
1 |
1000 |
||||
|
30 |
8 |
0.45 |
0.95 |
1.8 |
850 |
||
|
10 |
0.45 |
0.95 |
2 |
1300 |
|||
