可通过基极电流开启或关闭双极结型晶体管(BJT)。但是，由于基极-发射极二极管两端的压降在很大程度上取决于温度，因而在许多应用中，需要一个串联电阻将基极电流保持在所需水平，从而确保BJT稳定安全地工作。了解如何使用RET来应对标准BJT的温度依赖性。
为了减少元器件数量、简化电路板设计，配电阻晶体管将一个或两个双极性晶体管与偏置电阻组合在一起，集成在同一个晶片上。替代方案包括在基极-发射极路径上并联第二个集成电阻，以创建用于设置基极电压的分压器。这可以提供更精细的微调和更好的关断特性。由于这些内部电阻的容差高于外部电阻，因而RET适合晶体管在打开或关断状态下工作的开关应用。因此，RET有时被称为数字晶体管。本文讨论了在开关应用中使用RET进行设计时的一些关键操作参数。
电压和电流(VI)参数
IC/IIN是指RET的电流增益hFE，其中的IIN包括基极电流和流经R2的电流（IR2 = VBE/R2）。因此，hFE比RET小，后者只有一个串联基极电阻R1。因为输入电流从基极分流，所以R2值越低，hFE值就越小。从表1可看出这一点。VCEsat是RET开关处于导通状态时集电极-发射极的残余电压。
测量hFE的测试条件是施加0.5 mA的基极电流和10 mA的集电极电流。Vi(off)是RET器件关闭时的输入电压。在这种情况下，集电极泄漏电流为100µA，集电极-发射极电压(VCE)为5 V。表中提供的V(Ioff)max较低值是RET驱动级的最大允许输出电平。该条件必须要满足，以确保RET在关断状态下可以安全运行。当测试处于导通状态的RET时，VI(on)min是最关键的参数。用于驱动RET的电路必须能够提供该电压电平，以确保安全开启。导通状态是指集电极-发射极电压为0.3 V时，集电极电流为10 mA的状态。RET数据手册中规定的VI额定值仅针对这些测试条件有效。RET需通过更大的基极驱动电压VI(on)来获得更大的开关电流。图2显示了RET晶体管的电压-电流(VI)开关特性。
- VI < VI(off)max：所有RET器件均保证处于关断状态
- Vi < Vi(off)typ：典型RET处于关断状态
- Vi < Vi(off)typ：典型RET处于导通状态
- VI > VI(on)min：所有RET器件均保证处于导通状态
表1显示了导通和关断状态的输入电压对Nexperia NHDTC系列RET中的电阻分压器配置的依赖性。在VI(off)条件下，会有一个微小的基极电流流过晶体管（约0.3 µA）。关闭RET所需的电压典型值与电阻比R1/R2有关。当晶体管关闭时，可以通过R2或基极-发射极二极管两端的压降目标来计算此值。对于NHDTC系列，该电压大约为580 mV。因此，电阻比为1时的VI(off)值具有相同的电压(表1中的第1-3行)。由于上述原因，当R2为47 kΩ，且R1值为2.2 kΩ、4.7 kΩ或10 kΩ时，关断状态的典型电压值均会较低。VI(off) max需为偶数值，以确保器件在图2中最左侧的深绿色阴影区域内运行。
Nexperia的RET产品组合
正确选择电阻分压器至关重要，以确保RET的控制电压范围与驱动级相匹配。所需的集电极或负载电流会影响为导通状态提供的基极电流。可使用较低的R1和/或流经R2的较小旁路电流来设置较高的集电极电流。
除了通用系列，Nexperia还提供具有增强功能的RET器件，例如，NHDTA/NHDTC系列RET(见表1)的VCEO为80 V。这一特性使得这些器件非常适合48 V汽车应用。PDTB和PBRN系列RET支持500/600 mA的集电极电流，并可用于开关功率继电器和功率LED。
有关温度的注意事项
在实际应用中，需密切关注VI参数的温度漂移。BJT的VBE随温度升高而降低，其中系数约为-1.7mV/K至-2.1mV/K。如图3所示，对于独立的BJT，hFE也会每开尔文增加约1%。
典型直流电流增益与集电极电流呈函数关系
VI(on)为IC的函数，因此在相同的VCE下，需要更高的输入电压来驱动更多的集电极电流。低环境温度需要更高的输入电压，因为VBE增加，hFE会降低。因此需要在低温下打开RET开关，这是应用的关键操作条件，并且需要足够的输入电压才能正确打开器件（图4）。
典型导通状态输入电压与集电极电流呈函数关系
在关断状态下，高温条件非常关键。因此，驱动电路必须设计为在最高应用温度下输出电压远低于VI(off)典型值（图5）。
典型导通状态输入电压与集电极电流呈函数关系
简单，但安全可靠
RET是一种相对简单的器件，非常适合开关应用。尽管如此，设计人员必须了解影响其运行的参数，包括开关电压和电流，以及其受温度影响的情况。本篇博客文章提供了一些设计技巧，目的是确保Nexperia的RET在目标应用中安全可靠地运行。
