我们的铜夹片技术提高了功率处理能力、电效率和可靠性，是下一代宽禁带器件的上佳之选。
Nexperia的铜夹片技术已经彻底改变了功率封装，并将继续引领性能和效率的发展。我们现在约有90%的产品都采用了LFPAK无损耗封装，该封装早在2002年就引入了铜夹片技术，并且这项技术在封装新型GaN FET的CCPAK1212得到了广泛应用。
我们开发LFPAK是为了满足计算行业在为新款处理器供电时对超高电流的需求。每次出现新的晶圆技术节点，芯片上的晶体管数量都会呈指数级增加，电源电压也相应降低，峰值电流开始逼近200 A甚至更高的水平。行业参考SO-8晶体管封装的功能因此而得到扩展，促使电源设计转向更大的封装（例如DPAK甚至D2PAK）来应对所有问题。
我们开发了LFPAK56，以从常用的SO-8封装尺寸提供更多功率，希望能用LFPAK56取代DPAK或D2PAK。我们采用LFPAK56（以其尺寸5 mm x 6 mm命名）的第一代25 V MOSFET具有与类似的DPAK封装器件相当的RDS(on)和最大漏极电流，但管脚尺寸缩小了一半以上：LFPAK56为30 mm2，而DPAK为70 mm2。铜夹片连接取代了芯片和引脚框架之间的传统键合线连接，横截面积非常大，因此可显着提高电气和热性能。
起初，LFPAK56遭到业界质疑：它的尺寸不到DPAK的一半，如何实现同等的热性能？有些人怀疑夹片连接的可靠性，但其物理原理是毋庸置疑的：将夹片直接焊接到芯片上的源极连接，消除了通常出现在键合线连接处的高电流密度区域。因此，铜夹片可防止在这些位置形成温度“热点”，从而达到保护晶体管的目的。
经过可靠性和热性能测试，已经表明LFPAK能够发挥声称的性能。LFPAK56还通过了严格的AEC-Q101车规认证，实际上显著超过了每一项要求。
铜夹片还降低了封装电感，比传统的引线键合封装低三倍，因此可以提高开关效率并降低EMI。当今的电源设计需要更高的频率，以实现更高的功率密度和更快的动态响应，提高开关效率变得越来越重要。因此，我们新推出的铜夹片封装CCPAK1212是新型GaN功率晶体管的上佳之选。其宽禁带技术可为快速开关设计带来出色的效率，使GaN和铜夹片成为彼此契合的完美组合。
2021年LFPAK器件出货量超过17亿，包括LFPAK56封装的MOSFET和双极性功率晶体管，以及后续推出的小尺寸衍生产品3 mm x 3 mm LFPAK33到8 mm x 8 mm LFPAK88。现在，铜夹片成功案例中又加入了新的CCPAK1212，我们预计这项技术将在未来几代使用GaN、SiC或MOSFET器件的先进功率半导体中发挥重要作用。
