Trench 9 LFPAK33 MOSFET驱动高达300 W的动力总成系统

Nexperia新推出的Lexpak33封装40 V低RDS(on) MOSFET器件系列助力紧凑型动力总成系统(30 W到300 W)的增长。

谈及驱动效率更高的解决方案,汽车动力总成应用显然是主要焦点之一。功率密度、热性能和空间一直都是需要改进的关键领域。适用于在30~300 W范围内对热设计有要求的系统(包括水、油和燃油泵),Nexperia新推出的LFPAK33封装40 V低RDS(on) MOSFET器件是理想的选择。  

DPAK与LFPAK33在空间上的对比

这款器件采用微型8-pin LFPAK33封装,封装面积仅为10.9mm²,间距仅为0.65 mm;与DPAK解决方案相比,能够帮助设计人员减少84%的空间需求。此外,这一新推出的汽车级Trench 9器件可将RDS(on)显著降低,器件的导通内阻仅为3.3 mΩ。  

借助我们的超结技术,优化了电流能力和安全工作区(SOA),使受益于LFPAK33 MOSFET的小尺寸和热性能扩大了汽车应用范围至300 W。 

主要特性和优势

  • 改进的RDS(on)和电流容量
    • 通过更低成本的LFPKA33替换较大的封装
  • 较小的封装更低RDS(on)
    • 在较小的占位面积中驱动更高功率应用(高达300 W)
  • 超结技术设计提高雪崩能力
    • 强SOA能力和高性能故障条件耐受能力
  • 符合汽车AEC-Q101标准
    • 关键可靠性测试超越2倍AEC-Q101测试标准

LFPAK33的优势

LFPAK33的特性和优势
LFPAK33的特性和优势